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惠創(chuàng)科技（臺州）有限公司

MOSFET/IGBT導(dǎo)電粘接-惠創(chuàng)F579

MOSFET/IGBT導(dǎo)電粘接單組份環(huán)氧類的導(dǎo)電粘接膠
2024-09-21惠創(chuàng)科技（臺州）有限公司15

【成功案例】MOSFET/IGBT導(dǎo)電粘接-惠創(chuàng)F579





                                                   成功案例

Successful Case 


F579介紹：

  • 單組份環(huán)氧類的導(dǎo)電粘接膠
  • 具有極低的冷熱膨脹系數(shù)和收縮率，通過PCT飽和蒸汽測試24小時，滿?長期使用的?可靠性要求
  • ?泛應(yīng)用于半導(dǎo)體裸片封裝和模塊封裝、5G信號器件、通訊模塊等耐溫耐壓要求較?的模組等領(lǐng)域


產(chǎn)品特點：

  1. 以環(huán)氧樹脂作為載體，基體穩(wěn)定性高，滿足熱循環(huán)條件下的長期使用要求
  2. 高粘接強度(特別適用于鋁，銅，鎳，陶瓷，銀等不同材料間的粘接)
  3. 固化放熱量少，收縮率低，滿足精密器件的工藝要求
  4. 有較好的耐水性

以下是這款產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)：
型號S820-F579
顏色銀灰?膠體
密度@20℃4g/ml
粘度@20℃,RH30%

R2# 60rpm,20000-30000cps

觸變Ti=3
導(dǎo)熱系數(shù)＞39.3W/m.K
熱膨脹系數(shù)μm/(m.℃)

-40℃—280℃,46.1;

280℃—300℃,137

邵氏硬度Shore D70-80
體積電阻≤4X10-5?.cm
儲存條件

密封避光＜-30°C/12個月



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